半导体新器件预计2017年量产上海芯元基又获里程碑突破_Kaiyun体育官方网站全站入口

本文摘要：上海芯元基使用先进设备的晶元级PCB技术，融合具备自律知识产权的填充图形衬底(DPSS)以及化学挤压和晶元级芯片移往技术，研发出有了一种键通在玻璃基板上的薄膜倒装结构器件（TFFCOG）。

上海芯元基使用先进设备的晶元级PCB技术，融合具备自律知识产权的填充图形衬底(DPSS)以及化学挤压和晶元级芯片移往技术，研发出有了一种键通在玻璃基板上的薄膜倒装结构器件（TFFCOG）。该器件的结构如附图右图自上而下为：薄膜倒装芯片、玻璃衬底，器件的四周除出有光面之外都具备光线腔结构，构成带上光线腔的PCB器件。　　器件具备以下优势：1、使用反射镜的腔体结构，使整个器件的光由单一方向出射，很大的提升了光的出射密度；2、使用更容易加工出光结构的半透明玻璃基板作为出光地下通道，使用金属电极当作风扇地下通道，提升了器件的闪烁效率和稳定性；3、使用晶元级PCB技术，器件的最后尺寸与芯片的尺寸非常；4、不必须展开常规PCB，可降低成本三分之一以上。

　　上海芯元基的化学挤压衬底技术和晶元级芯片移往技术是生产MicroLEDDisplay的核心技术，不仅能用运于半导体灯光产业，某种程度能用运于半导体功率电子器件，对发展我国第三代半导体材料技术意义根本性，目前早已已完成了涉及专利的全球布局及商标注册，预计2017年初可实现量产。

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